PILATUS 4 R (CdTe)-瑞士DECTRIS（德科特思）混合像素光子计数X射线探测器

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产品名称：PILATUS 4 R (CdTe)-瑞士DECTRIS（德科特思）混合像素光子计数X射线探测器

品牌：DECTRIS

产地：瑞士

凭借高于95%的量子效率，及其高达155x162毫米的极大有效面积，PILATUS4RCdTe探测器可对基于从铜（Cu）到铟（In）的任何X射线源的快速数据收集。特别是对于钼（Mo）、银（Ag）和铟（In）辐射，PILATUS4RCdTe的性能优于其他配有硅传感器的HPC探测器。

产品介绍技术参数解决方案产品展示

凭借高于 95% 的量子效率，及其高达 155 x 162 毫米的有效面积，PILATUS4 R CdTe 探测器可对基于从铜（Cu）到铟（In）的任何X射线源的快速数据收集。特别是对于钼（Mo）、银（Ag）和铟（In）辐射，PILATUS4 R CdTe 的性能优于其他配有硅传感器的 HPC 探测器。 PILATUS4 凭借出色的计数率和无探测器背景噪声的特点，实现了跨越十个数量级的广泛动态范围，高达 200Hz 的内部帧速，进一步优化了计数率校准，从而确保高强度测量的准确性。此外，PILATUS4 还具备四个能量区分阈值，为劳厄衍射和光谱成像等应用带来了新的可能。

型号	PILATUS4 R 1M	PILATUS4 R 260K	PILATUS4 R CdTe 260K-W
有效面积(W x H)[mm²]	155.0 x 162.0	77.0 x 79.5	155.0 x 38.3
像素数量(W x H)	1033 x 1080	513 x 530	1033 x 255
像素尺寸	150 x 150
能量范围[keV]	碲化镉: 8 - 25	碲化镉: 8 - 25	碲化镉: 8 - 25
	碲化镉扩展校准: 8 - 100	碲化镉扩展校准: 8 - 100	碲化镉扩展校准: 8 - 100
	硅: 6 - 40	硅: 6 - 40
阈值数量	4
阈值范围[keV]	碲化镉:4 - 30	碲化镉:4 - 30	碲化镉:4 - 30
	碲化镉扩展校准: 4- 80	碲化镉扩展校准: 4- 80	碲化镉扩展校准: 4- 80
	硅:4 -30	硅:4 -30	硅:4 -30
帧频(max.) [Hz]	10	100	100
读出时间	连续读出
点扩散函数 (FWHM) [pixels]	1
传感器材料	碲化镉 (CdTe) 或硅(Si)	碲化镉 (CdTe) 或硅(Si)	碲化镉 (CdTe)
传感器厚度硅[μm]	碲化镉：1000	碲化镉：1000	碲化镉：1000
传感器厚度硅[μm]	硅：450	硅：450
计数率(max.) [ph/s/pixel]	碲化镉: 5×10⁶	碲化镉: 5×10⁶	碲化镉: 5×10⁶
计数率(max.) [ph/s/pixel]	硅：3.1×10⁶	硅：3.1×10⁶
尺寸 (W x H x D)[mm³]	235 x 237 x 372	114 x 133 x 242	192 x 92 x 277
重量[kg]	15	4.7	4.7

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